نوشته‌ها

توشیبا و SanDisk سرعتی دیوانه وار را با تکنولوژی 3D NAND برای نسل آیفون به ارمغان می آورند!

3D NAND-Ipnoe7  توشیبا و SanDisk سرعتی دیوانه وار را با تکنولوژی 3D NAND  برای نسل آیفون به ارمغان می آورند! IPHON

 

کمپانی توشیبا و SanDisk به تازگی خبری جدید منتشر کرده اند. خبری که ممکن است هیجان و انگیزه ی تازه ای برای مشتریان تلفن همراه آیفون باشد.
فلش مموری جدید با تکنولوژی 3D NANAD با حجم 256 گیگابایت ، 48 لایه و سه بیت به ازای هر سلول، رونمایی خواهد شد.به عبارتی دیگر یک فلش مموری جدید با انرژی و سرعتی به مراتب بالاتر.
طبق آخرین اخباری که از این شرکت منتشر شده، احتمال استفاده از این چیپ مموری در آیفون 7 زیاد است که در سال آینده روانه ی بازار خواهد شد.

3D NAND

توشیبا با همکاری شرکت SanDisk، حجم تعداد NAND های چیپ های فلش مموری را افزایش می دهند.

3D NAND تکنولوژی جدیدی است که این روزها توشیبا با همکاری شرکت SanDisk معرفی کرده است. این پردازنده ی جدید شامل 256 گیگابایت حجم، 48 لایه، سه بیت به ازای هر سلول، و چیپ 3D NAND  می باشد.

3D NAND  توشیبا با همکاری شرکت SanDisk، حجم تعداد NAND  های  چیپ های فلش  مموری را افزایش می دهند. 3d nand

3D NAND

توشیبا، همچنین اعلام کرده است که این چیپ در سال 2016 وارد بازار خواهد شد. درست زمانی که تنها نیم سال از تولید اولین سری 128 گیگابایتی او می گذرد.
علاوه بر اینکه حجم اطلاعات بیشتر در حجم ظاهری کمتری قرار می گیرد، سرعت نوشتن اطلاعات و خواندن آن نیز افزایش یافته است.
از این چیپ می توان در هاردهای SSD و تلفن های همراه هوشمند، تبلت، مموری کارت و سایر دستگاه ها نیز استفاده کرد.

3D NAND  توشیبا با همکاری شرکت SanDisk، حجم تعداد NAND  های  چیپ های فلش  مموری را افزایش می دهند. 3d nand 1

3D NAND